SK海力士将升级中国半导体工厂：采用第四代10纳米工艺

摘要： 据了解，韩国芯片制造巨头SK海力士正在考虑打破美国对华极紫外（EUV）光刻机出口相关限制，以提升其在中国的半导体工厂的技术水平。这一举动被视为，随着半导体市场...

据了解，韩国芯片制造巨头SK海力士正在考虑打破美国对华极紫外（EUV）光刻机出口相关限制，以提升其在中国的半导体工厂的技术水平。

这一举动被视为，随着半导体市场的复苏以及中国高性能半导体制造能力的提升，一些韩国芯片企业正在采取一切可以使用的方法来提高在华工厂的制造工艺水平。

业内人士透露，SK海力士计划今年将其中国无锡工厂的部分DRAM生产设备提升至第四代10纳米工艺。然而，对于无锡工厂将进行技术升级的消息，SK海力士方面表示无法确认工厂的具体运营计划。

据了解，无锡工厂是SK海力士的核心生产基地，其产量约占公司DRAM总产量的40%。目前，无锡工厂正在生产两款较旧的10纳米DRAM。

报道认为，SK海力士对无锡工厂进行技术升级并不容易，因为自2019年以来，美国为阻止中国半导体产业崛起，单方面限制了制造尖端半导体必需的EUV光刻机出口中国。

尽管如此，随着全球半导体市场进入复苏阶段，SK海力士认为高性能芯片产能扩张已经刻不容缓，需要10纳米级第四代DRAM或更高版本产品来维持其市场份额。

媒体分析称，SK海力士的这一举动反映了全球半导体市场的变化和中国半导体产业的快速发展。在全球半导体市场复苏的背景下，中国半导体产业的提升无疑将为全球半导体产业的发展注入新的活力。