本文作者:访客

可量产0.2nm工艺!ASML公布Hyper NA EUV光刻机:死胡同不远了

访客 2024-06-16 21:04:53 34638 抢沙发
可量产0.2nm工艺!ASML公布Hyper NA EUV光刻机:死胡同不远了摘要: 6月16日消息,ASML去年底向Intel交付了全球第一台High NA EUV极紫外光刻机,同时正在研究更强大的Hyper NA EUV光刻机,预计可将半导体...

6月16日消息,ASML去年底向Intel交付了全球第一台High NA EUV极紫外光刻机,同时正在研究更强大的Hyper NA EUV光刻机,预计可将半导体工艺推进到0.2nm左右,也就是2埃米。

可量产0.2nm工艺!ASML公布Hyper NA EUV光刻机:死胡同不远了

ASML第一代Low NA EUV光刻机孔径数值只有0.33,对应产品命名NXE系列,包括已有的3400B/C、3600D、3800E,以及未来的4000F、4200G、4X00。

该系列预计到2025年可以量产2nm,再往后就得加入多重曝光,预计到2027年能实现1.4nm的量产。

High NA光刻机升级到了0.55,对应产品EXE系列,包括已有的5000、5200B,以及未来的5400、5600、5X00。

它们将从2nm以下工艺起步,Intel首发就是14A 1.4nm,预计到2029年左右能过量产1nm,配合多重曝光可以在2033年前后做到0.5nm的量产,至少也能支持到0.7nm。

接下来的Hyper NA光刻机预计将达到0.75甚至更高,2030年前后推出,对应产品命名为HXE系列。

ASML预计,Hyper AN光刻机或许能做到0.2nm甚至更先进工艺的量产,但目前还不能完全肯定。

值得一提的是,单个硅原子的直径约为0.1nm,但是上边提到的这些工艺节点,并不是真实的晶体管物理尺寸,只是一种等效说法,基于性能、能效一定比例的提升。

比如说0.2nm工艺,实际的晶体管金属间距大约为16-12nm,之后将继续缩减到14-10nm。

Low/High/Hyper三种光刻机会共同使用单一的EUV平台,大量的模块都会彼此通用,从而大大降低研发、制造、部署成本。

不过,High NA光刻机的单台价格已经高达约3.5亿欧元,Hyper NA光刻机必然继续大幅涨价,而且越发逼近物理极限,所以无论技术还是成本角度,Hyper NA之后该怎么走,谁的心里都没数。

微电子研究中心(IMEC)的项目总监Kurt Ronse就悲观地表示:无法想象只有0.2nm尺寸的设备元件,只相当于两个原子宽度。或许到了某个时刻,现有的光刻技术必然终结。

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