速度是NAND的1000倍！三星：基本完成8nm eMRAM内存开发

摘要： 5月31日消息，三星电子在日前的AI-PIM研讨会上表示，其8nm版本的eMRAM内存开发已基本完成，正按计划逐步推进制程升级。eMRAM是一种基于磁性原理的...

5月31日消息，三星电子在日前的AI-PIM研讨会上表示，其8nm版本的eMRAM内存开发已基本完成，正按计划逐步推进制程升级。

eMRAM是一种基于磁性原理的新型内存技术，与传统的DRAM内存相比，它具有非易失性，不需要定期刷新数据，从而实现更高的能效。

此外，eMRAM的写入速度达到了NAND内存的1000倍，这使得它能够支持对写入速率有更高要求的应用场景。

三星电子目前具备28nm eMRAM的生产能力，并已开始向智能手表等终端产品供货。

根据此前报道，三星电子曾计划在2024年量产14nm eMRAM，并在2026年实现8nm eMRAM的量产。

现在，随着8nm eMRAM开发的基本完成，公司正朝着2027年推出5nm eMRAM的目标稳步前进。

同时三星对eMRAM在未来车用领域的应用充满信心，并表示其产品耐温能力已达到150~160℃，完全能够满足汽车行业对半导体的严苛要求。