三星研发2nm芯片Exynos 2600:领先高通一步
摘要:
5月24日消息,据媒体报道,在芯片制造领域,3nm方兴未艾,围绕着2nm的竞争已经全面打响。三星正在研发2nm芯片Exynos 2600,代号Thetis,预...
5月24日消息,据媒体报道,在芯片制造领域,3nm方兴未艾,围绕着2nm的竞争已经全面打响。
三星正在研发2nm芯片Exynos 2600,代号Thetis,预计将在2025年下半年开始量产,由Galaxy S26系列首发搭载。
报道指出,Galaxy S25系列将搭载3nm芯片Exynos 2500,对手骁龙8 Gen4也是采用3nm工艺,双方步调将保持一致。
但是在2025年下半年,三星将率先切入2nm工艺制程,Galaxy S26系列有望成为安卓阵营第一款2nm旗舰。
据悉,三星2nm采用最新一代MBCFET架构,与基于FinFET的工艺技术相比,前者晶体管性能提升了11%,同时漏电降低约50%。
另一方面,MBCFET彼此堆叠在一起,鳍片侧向放置,纳米片的宽度可以调整,以提供比FinFET更多的沟道宽度选项,这是一个对整个设计有用的功能,这在模拟SRAM中具有显著的优势。
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