三星3nm良率翻至3倍！仍落后于台积电

摘要： 3月25日消息，据媒体透露，有消息人士称，三星电子的3纳米Gate-All-Around（GAA）工艺的良率已经实现了三倍的提高，从先前的10%至20%上升至3...

3月25日消息，据媒体透露，有消息人士称，三星电子的3纳米Gate-All-Around（GAA）工艺的良率已经实现了三倍的提高，从先前的10%至20%上升至30%至60%之间，然而，这仍然落后于竞争对手台积电。

除此之外，台积电还宣布今年将3纳米晶圆的产量扩大到每月约10万片，这使得三星几乎没有赶上代工竞争对手台积电的机会。

报道指出，三星电子在其第二代3纳米GAA工艺上投入了更多精力，并在功耗、性能和逻辑区域方面进行了改进。

然而，这并没有为三星吸引更多客户。一份报告指出，要重新赢得像高通等先前的客户认可，三星需要将良率提高到70%。而这些企业在可预见的未来将继续选择台积电。

本月初，韩国媒体报道称，三星电子已经通知客户和合作伙伴，自今年年初起，将第二代3纳米工艺改名为2纳米工艺。

一位业内人士表示：我们收到了三星电子的通知，他们正在将第二代3纳米工艺更名为2纳米工艺。去年签订的第二代3纳米合同也同步转为了2纳米，因此我们近期需要重新签订合同。